GTO是什么器件,gto:全控型器件具有较大电压和电流容量

GTO:全控型器件它具有较大的电压和电流容量，适用于大功率场合，具有电导调制作用，电流流通能力强,SCR的频率一般低几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR高一点，最多能达到几K,由于拖尾现象，IGBT的频率一般不如MOS管,IGBT驱动电路的特点是:驱动电路输出电阻小，IGBT采用电压驱动器件，IGBT采用专用混合集成驱动器驱动。

IGBT驱动电路的特点是:驱动电路输出电阻小，IGBT采用电压驱动器件，IGBT采用专用混合集成驱动器驱动。GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流具有陡峭的前沿和一定的过冲，可以加速开通过程，降低开通损耗；关断时，驱动电路可以提供足够幅值的反向基极驱动电流，加上反向偏置截止电压，加快关断速度。GTO驱动电路的特点是:GTO要求驱动电路提供的驱动电流的前沿要有足够的幅度和陡度，一般在整个导通期间都要施加主栅电流，关断期间要施加负栅电流，这就要求幅度和陡度更高。其驱动电路通常包括三部分:导通驱动电路、关断驱动电路和栅极反向偏置电路。功率MOSFET驱动电路的特点:驱动电路要求输入电阻小，驱动功率小，电路简单。

这个只能在大多数情况下比较。由于拖尾现象，IGBT的频率一般不如MOS管。超过100KHz就很高了，VMOS可以更高。SCR的频率一般低几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR高一点，最多能达到几K。

GTO可以通过门极控制关断，晶闸管的关断需要降低阴阳极的电压差才能使电流低于IH，任何时候都不能控制门极关断。关闭条件不同。晶闸管是闸流管(thyratron)的缩写，也可称为可控硅整流器，以前简称可控硅整流器。1957年，美国通用电气公司研制出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构，有三极:阳极、阴极和栅极；晶闸管具有硅整流器器件的特性，可在高电压、大电流条件下工作，工作过程可控，广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变器、变频等电子电路中。

GTO:全控型器件它具有较大的电压和电流容量，适用于大功率场合，具有电导调制作用，电流流通能力强。电流关断增益很小，关断时栅极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低GTR，Mosfet(功率场效应晶体管)具有大电流和良好的开关特性，驱动电路简单，所需驱动功率低，开关速度快，工作频率高，热稳定性比GTR高，但电流容量小。IGBT结合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制作用，但其电流流动能力强，但开关速度慢，所需驱动功率高，驱动电路复杂。