简单说：LED的辐射是在正向偏置条件下注入结区的电子和空穴复合而产生的电子元器件上说的PIN是什么意思,什么是PINdiode一个硅面结型二极管，在p型半导体层和n型半导体层之间有一层轻渗杂的本征半导体层,它们的功能特点有什么不同（不是内部结构特点）什么是pn结,它的工作原理是什么。
什么是PINdiode一个硅面结型二极管，在p型半导体层和n型半导体层之间有一层轻渗杂的本征半导体层。其稠密的P和N掺杂区域被相对厚的高电阻率的本征层所分隔，这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管
Pn结：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将p型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。工作原理：n型半导体中有大量的自由电子，而p型半导体中有大量的自由空穴。在零偏置时，没有电荷的定向移动。正向偏置电压v使得两种材料的费米能级分离。正向偏置电压增加了n区势能，降低了p区势能，从而使势垒降低。如果外电源提供的能量（ev)与禁带宽度Wg相同，则自由电子和自由空穴将有足够的能量进入结区。当自由电子与自由空穴在结区相遇时，自由电子将落到价带与空穴复合。在跃迁过程中，电子损失的能量将以发射一个光子的形式转变成光能。简单说：LED的辐射是在正向偏置条件下注入结区的电子和空穴复合而产生的
我需要对各种元件的特点、主要功能、用途做一个详细的表格，至于一般元件的功能、用途、特点我也了解，但我需要进行更详细的了解，但网上和很多书上都没有，比如说：结型场效应管（N沟道、P沟道），绝缘栅型场效应管（增强型（N沟道、P沟道）、耗尽型（N沟道、P沟道）），各有什么不同的用途，在那些场合用哪种场效应管，为什么？它们的功能特点有什么不同（不是内部结构特点）
4、NPN三极管的导通条件是什么?对于NPN型三极管，一般的处于放大区的条件是Uc>Ub>Ue，并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压。虽然放大区也有很小一块区域是Uc＜Ub，但那已经极其接近饱和区了（当然饱和也是一种导通状态），一般工作在放大状态下的三极管在设计上不使它进入那个区域，对于PNP型三极管，情况正好相反，处于放大区的条件是Uc＜Ub＜Ue，Ub和Ue之间的电压差同样要大于发射结的初始导通电。
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