最核心的差别是，后面的N代表的是温度特性，不带N的正常工作范围是-55-150摄氏度，带N的可以达到-55-175摄氏度mos的irfp250、irfp250n、irfp260、irfp260n有什么区别(npn、pnp的关...,这些都是MOSFET，不是三极管（三极管有NPN，PNP之分，MOSFET没有这种说法）,三极管F640可以什么代替,F640N沟道场效应三级管200V18A.可以用IRF640，IRL640NS，FQP19N20代用。
这些都是MOSFET，不是三极管（三极管有NPN，PNP之分，MOSFET没有这种说法）。IRFP250与250N在参数上有少量区别，250的持续电流ID为33A，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值），耗散功率前者为180W，后者为214W。导通电阻前者最大为0.085欧，后者为0.075欧。IRFP260和260N在这些参数上也是互有差别，你可以看一下他们的pdf。最核心的差别是，后面的N代表的是温度特性，不带N的正常工作范围是-55-150摄氏度，带N的可以达到-55-175摄氏度
F640N沟道场效应三级管200V18A.可以用IRF640，IRL640NS，FQP19N20代用。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种
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