IGBT有单管器件，单管模块，半桥模块，H桥，FF桥，PI...拓扑,,MTC可控硅模块是普通可控硅模块，IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,二电平，三电平已经广泛的应用开了MTC可控硅模块和IGBT模块有什么区别。
MTC可控硅模块是普通可控硅模块，IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT也称可关断可控硅
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。百度都有啊IGBT模块品牌很多，目前infineon，三菱，富士是比较大的份额，国内封装的银茂微也有一定市场。每一家的芯片都有自己的一些特点，所以在应用中尤其注意驱动的使用...还有保护。IGBT有单管器件，单管模块，半桥模块，H桥，FF桥，PI...拓扑。二电平，三电平已经广泛的应用开了
3、igbt模块特点?IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化，又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、IR,摩托罗拉亦己在开发研制新品。
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