其中T1为nmos；T2为pmos；mos管导通条件是|vgs|-|vth|>0；那么对于pmos作为开关来说Vg=0，Vs=Vo，Vi=Vo那么根据导通条件，|0-Vi|>|Vthp|,即Vi>|Vthp|;总之一句话，N管适合传输低电平，P管适合传输高电平,另外加载在T2的VDD只是pmos的衬底偏置，保证pmos正常工作，不参与电路分析CMOS传输门跟一个单独的NMOS管有什么区别。
最显著的差异，HughWang的回答已经提到了。具体来说：NMOS传输高电平有阈值损（Vtn），低电平则没有；PMOS传输低电平有阈值损（Vtp），高电平则没有。CMOS互补结构则利用了上述“互补”特性，传输高低电平时都没有阈值损。另外还有一点，NMOS或PMOS单管在传输电平信号的过程中，导通电流的变化都是非线性的。举例来说，在传输一个高电平时：PMOS的导通电流随输出电平增高的曲线，呈现一个上凸形——也即当输出电平不断增大时，PMOS的导通电流变化呈现出“先缓慢、后急剧”的下降；NMOS的导通电流变化则反过来，呈现“先急剧、后缓慢”的下凹形。在传输低电平时，上述变化则相对都“反过来”。而两者的“和”，则基本是线性的。因此，CMOS互补结构的另一个特点就是：利用两管导通电流的“互补”特性，使得导通电流特性呈“高线性”
2、CMOS传输门Tp导通的问题这个一个互补性传输门。其中T1为nmos；T2为pmos；mos管导通条件是|vgs|-|vth|>0；那么对于pmos作为开关来说Vg=0，Vs=Vo，Vi=Vo那么根据导通条件，|0-Vi|>|Vthp|,即Vi>|Vthp|;总之一句话，N管适合传输低电平，P管适合传输高电平，另外加载在T2的VDD只是pmos的衬底偏置，保证pmos正常工作，不参与电路分。
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