这是因为双向触发二极管是有门限电压的，低于门限电压二极管是不导通的，按你图中所示门限电压为30V，另外，双向可控硅也有一个控制极触发阈值电压，只有当电容两端电压充电达到双向触发二极管门限电压 双向可控硅阈值电压约为40V时二极管才能导通进而触发可控硅nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少。

什么是可控硅,其工作原理是什么

1、什么是可控硅,其工作原理是什么?

可控硅：是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管

可控硅的导通角是什么概念通过什么来控制谢谢了啊

2、可控硅的导通角是什么概念?通过什么来控制??谢谢了啊

在电力电子领域，导通角是指在一个周期内，由电力电子器件（如晶闸管）控制其导通的角度。当交流电通过可控硅时，可以让交流电电流通过控制使其在0－180度的任一角度处开始导通，即所谓可控整流，当正半周加到可控硅的阳极，在180度的某一角度时，在可控硅的控制极加一触发脉冲，例如在30度加一脉冲，可控硅只能通过余下的150度的电流。这种使可控硅导电的起始角度称为导通角

3、nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少?估计值

nMOS：Vth=0.7V，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs=0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT= 2ψb=－/Ci 2ψb,式中Vi≈/Ci，Qb=－，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）

4、电容与双向双极管?

这是因为双向触发二极管是有门限电压的，低于门限电压二极管是不导通的，按你图中所示门限电压为30V，另外，双向可控硅也有一个控制极触发阈值电压，只有当电容两端电压充电达到双向触发二极管门限电压 双向可控硅阈值电压约为40V时二极管才能导通进而触发可控。


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