对可关断晶闸管门极驱动电路的一般要求是：当信号要求可关断晶闸管导通时，驱动电路提供上升率足够大的正门极脉冲电流,其幅度视晶闸管容量不同在0.1到几安培的范围内变化，其宽度应保证可关断晶闸管可靠导通；当信号要求可关断晶闸管关断时，驱动电路提供上升率足够大的负门极脉冲电流，脉冲幅度要求大于可关断晶闸管阳极电流的五分之一，脉冲宽度应大于可关断晶闸管的关断时间和尾部时间可关断晶闸管的成分结构,可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号,可关断晶闸管的特性曲线如图晶闸管导通和关断的条件是什么。
书本原话！！！导通条件：当晶闸管承受正向电压，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通，晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通关断条件：若要是已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。可关断晶闸管的特性曲线如图
使可关断晶闸管根据信号的要求导通或关断的门极控制电路。用于控制电力电子电路中的可关断晶闸管的通断。对可关断晶闸管门极驱动电路的一般要求是：当信号要求可关断晶闸管导通时，驱动电路提供上升率足够大的正门极脉冲电流,其幅度视晶闸管容量不同在0.1到几安培的范围内变化，其宽度应保证可关断晶闸管可靠导通；当信号要求可关断晶闸管关断时，驱动电路提供上升率足够大的负门极脉冲电流，脉冲幅度要求大于可关断晶闸管阳极电流的五分之一，脉冲宽度应大于可关断晶闸管的关断时间和尾部时间
4、关于晶闸管、整流管(俗语可控硅可控硅绝大多数故障都是由于过压（电压过大）击穿导致的，你可以安装一个可控硅自动防护装置，这种防护装置包括由导电材料制成的弹簧体，它具有在中心附近折叠弯曲的接触面。可控硅置于接触面之间而端板处于与各接触面电相对的位置上。一个导板置于一个端板和一个接触面之间。导板包括电连接到被保护电路的引线。弹簧体包括接地引线。一介电隔板置于导板和接触面之间。该介电隔板随可控硅在过电压状况下产生的高温而变形，能够有效的保护可控硅
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