（还有一个温度影响，每掇氏度变化2MV左右，温度越高基极与发射极电压越小发射极电压的问题,我以一个NPN三极管作为例子给你分析这个涉及到二极管的门坎电压问题一般硅管的门坎电压为0.5V正向导通压降为0.7V也就三极管Vbe就是说就算你给二极管加正向电压，也要大于0.5V二极管才能导通，而完全导通时上面的压降就是0.7左右是加在基极和发射极组成的二极管上的电压当电压为0.1V时显然二极管没有导通所以比如温度上升会引起发射结正向压降Vbe减小，如果这时候发射结导通电流就会发生很大的变化这是从不导通到导通产生的电流变化而如果加在发射极上电压大时，发射极和基极正向导通，Vbe＝0.7V这时候的三极管已经正常工作，Vbe变化，发射极电流还是从导通到导通的变化虽然也会引起三极管一些参数的变化但是都是量的变化而上面的可以算质的变化没导通的时候流过发射极电阻的电流小，U=IR，电压不就小了么，如果导通电流大，所加电压才大，那个电阻是负反馈用的，为的是保持静态工作点的稳定什么是发射极,基极,集电极,,发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子,发射极电压低于基极即可,饱合区：硅管：发射极电压低于基极电压，锗管：发射极电压高于基极电压硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少。
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1、什么是发射极,基极,集电极?发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结
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2、发射极电压的问题我以一个NPN三极管作为例子给你分析这个涉及到二极管的门坎电压问题一般硅管的门坎电压为0.5V正向导通压降为0.7V也就三极管Vbe就是说就算你给二极管加正向电压，也要大于0.5V二极管才能导通，而完全导通时上面的压降就是0.7左右是加在基极和发射极组成的二极管上的电压当电压为0.1V时显然二极管没有导通所以比如温度上升会引起发射结正向压降Vbe减小，如果这时候发射结导通电流就会发生很大的变化这是从不导通到导通产生的电流变化而如果加在发射极上电压大时，发射极和基极正向导通，Vbe＝0.7V这时候的三极管已经正常工作，Vbe变化，发射极电流还是从导通到导通的变化虽然也会引起三极管一些参数的变化但是都是量的变化而上面的可以算质的变化没导通的时候流过发射极电阻的电流小，U=IR，电压不就小了么，如果导通电流大，所加电压才大，那个电阻是负反馈用的，为的是保持静态工作点的稳定
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3、硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少?首先，看一下二极管（硅管）的正向特性曲线，（我在这里没画）从0V-0。5V区间内几乎没有电流流过，但是过了0。5V以后，电流很快上升，所以三极管的基极与发射极之间的电压没有一个准确的数。（还有一个温度影响，每掇氏度变化2MV左右，温度越高基极与发射极电压越小
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4、...的电压是多少到多少?饱合区电压呢?(长用的硅管锗管.发射极电压...在发射极电压为零（地）时，放大区：硅管：三极管基极电压一般为0.7伏，偶然可低于0.7伏但不会低过0.6伏。发射极电压一般为1伏以上。.锗管：放大区三极管基极电压一般在-0.15至-0.2伏电压之间。发射极电压低于基极即可。饱合区：硅管：发射极电压低于基极电压，锗管：发射极电压高于基极电压
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文章TAG：发射极电压是什么 三极管 电路 电压 发射
