晶体管数是什么,晶体管有多厉害?看看这里!

现在的硅基CMOS芯片的晶体管可以达到数十亿级的晶体管数量什么是晶体管,晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,为什么会有极限,晶体管的数量极限……这是个很难估量的数字，因为限制数字电路中晶体管数量的因素有很多。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上

晶体管的数量极限……这是个很难估量的数字，因为限制数字电路中晶体管数量的因素有很多。电路过细……这个问题倒不至于影响晶体管的数量，但会影响晶体管的隧穿电压，会对单个晶体管的体积和特性产生影响。不同工艺代，比如45nm和32nm两个工艺代的晶体管极限不同，这主要受制于发热和功耗。并不是数量不可以继续提升，而是发热、功耗已经是我们无法接受的了。另外，电路本身的设计也会影响晶体管的数量。如果电路设计过于复杂，那么会导致良品率降低，电路规模就会受到影响。如果不考虑设计、发热等因素，仅仅是堆砌晶体管的话，集成的数量是没有限制的，但这种规模不存在任何实际意义了。现在的硅基CMOS芯片的晶体管可以达到数十亿级的晶体管数量

①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参数，由集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示，即(3=A/yA/b,p值在20~100之间，（3太高会使晶体管性能不稳定；p太低会导致放大作用不好。②反向饱和电流/eb0，它是当发射极开路时，集电极与基极间的反向电流。这个数值要求越小越好，③穿透电流/ce。，它是当基极开路，集电极接反向电压，发射极接正向电压时，流过集电极的电流这个数值越小越。