所以，你问多数载流子少数载流子的意义，其实它们都是电流的承担者和贡献者，就看具体器件应用中，谁占主要作用了简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么,于此对应的，多数载流子器件，如MOSFET，肖特基二极管，这些是单极器件，起作用的是多数载流子,是多子还是少子是影响温度稳定性的主...,多子，容易混淆，因为在一个半导体器件里多子也不确定是空穴还是电子,所以半导体器件，又分为多子器件和少子器件。
多子，容易混淆，因为在一个半导体器件里多子也不确定是空穴还是电子。举个例子：在pn结中，p区杂质电离产生空穴，p为多子（p载流子浓度10^18cm^-3）；n区杂质电离产生电子，n为多子（10^18cm^-3）；常温下本征载流子浓度为10^10cm^-3,要控制其浓度值小于10^17cm^-3（假设），保证内电场的存在即pn结的有效性。若要计算温度极限，利用费米分布函数，就可得到其理论最大工作温度
多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。（两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。）多为掺入N或P或B多子与少子是相对概念。如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反
4、多数载流子和少数载流子的意义多数载流子，少数载流子，它们都承担着传递电流的作用，载流子（电荷）的定向运动，产生了电流。具体来说，不同的半导体器件，有的是多数载流子其主要作用，有的又是少数载流子起重要作用，所以半导体器件，又分为多子器件和少子器件。你比如说，双极型器件，如BJT，PiN二极管，这些都是少数载流子器件，特点是电流能力大，但是开关速度相对较低，因为有少子电荷存储效应。于此对应的，多数载流子器件，如MOSFET，肖特基二极管，这些是单极器件，起作用的是多数载流子，由于没有了少子存储效应，所以特点是开关速度很快，可以工作在高的频率下，但是电流能力不如双极型器件。所以，你问多数载流子少数载流子的意义，其实它们都是电流的承担者和贡献者，就看具体器件应用中，谁占主要作用。
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