igbt芯片里面是什么意思,什么是igbt?

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IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点，虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图，IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电。